技术编号:6819779
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种EEPROM结构,特别涉及一种ETOX单元即可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元(EPROM Tunnel Oxide Cell)的制造方法。EEPROM(Electrically Erasable programmable ROM;可电擦除可编程只读存储器)是电脑和电子产品经常使用的存储器电路,其优点是其中所储存的程序和数据,在正常情况下是不会消失的,但若要抹除所述程序和数据,则可利用电流导电一段时间,以前所储存的数据便会消失,接着即可再重...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。