技术编号:6819785
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路的制造。更具体地说,本发明涉及防止器件出现化学机械抛光(CMP,Chemical-mechanical polish)诱发缺陷的方法。在半导体集成电路的制造过程中,器件(如晶体管)形成于基片上,该基片典型地由硅制成。基片的用途包括半导体集成电路或平板式显示器的制造。由各种材料构成的后续各层可以沉积在基片之上并有选择地除去,从而在硅晶片上形成层状台面结构。代理案号为HQ 9-96-051于1997年5月1日提交的名称为“由无屏蔽浅沟槽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。