技术编号：6819826
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造多晶半导体的方法和装置，更具体地是涉及制造在应力下具有小应变的多晶硅半导体的方法和装置。硅是一种优异的制造工业产品的原材料，例如，可用作制造ICs(集成电路)等的半导体材料，并可用作制造太阳能电池的材料；从许多应用于上述领域的资源来看它确实是一种优异的材料。更具体地说，硅是一种在目前实际应用中几乎所有太阳能电池材料都使用的材料。当前电源用主要的太阳能电池都基于单晶硅，这样希望从费用降低上来进一步开发由高质量多晶硅制造的太阳能电池。在这种情况下...
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