技术编号:6819848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体高压器件及功率器件技术,特别是涉及一种用于高压集成电路及功率集成电路中有浮动电压端的半导体器件的表面耐压层。常规的高压集成电路中高压(功率)器件的制造方法有介质隔离(DI)方法、p-n结隔离(JI)方法及自隔离(SI)方法。其隔离性能是DI优于JI,JI优于SI。而成本则一般说是反过来SI最低,JI次之,DI成本最高。如图1所示,常规的高压集成电路通常含有四个部分低压控制电路、与地(衬底)相连的驱动电路、高压电平位移电路以及参考高压的驱动电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。