技术编号：6819851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的制造，特别涉及提高使用激光熔丝连接的集成电路的电路密度和/或减少衬底损伤的改进技术。半导体集成电路(IC)及其制造技术早已为人所熟知。在典型的集成电路中，可以在硅衬底上制造大量半导体器件。为了实现所要求的功能，一般提供多个导体将所选的器件耦合在一起，在某些集成电路中，一些导电接线可以耦合到熔丝上，在制造后，利用激光将这些熔丝切断或烧断。在动态随机存取存储器(DRAM)电路中，例如，制造过程中可以使用熔丝，保护某些晶体管的栅叠层因偶然累积...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。