技术编号：6819935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅太阳电池P-N结的制作方法。一般硅太阳电池P-N结的制作方法是将涂有掺杂物源的硅片单片放入扩散炉中烧结，比如在链式炉中，是将硅片具有掺杂物源的一面向上，单片水平放置在输送带上；而在管式炉中是将硅片插设在一框架上的卡槽中，通过气体携带掺杂物源进行扩散。其存在的问题是1、由于炉内气流不均匀，会造成扩散结表面电阻不均匀。2、如果炉内不干净，会造成对硅片的污染。3、由于是单片烧结，为了保证电池的各项指标，对硅片表面涂敷的掺杂物源的均匀度要求很高。4...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。