技术编号：6820094
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到可高速工作的、源-漏区采用微掺杂漏极(LDD)结构的半导体器件及其制备方法。目前，要求大规模集成电路有更高的集成度和更快的工作速度，同时要求采用可高速工作及可进一步小型化的场效应MOS晶体管。然而，当场效应MOS晶体管进一步小型化后，源-漏区耐压性能下降的问题也随之出现了，同时，由于热电子的作用，会导致栅极阈值电压及其导电性发生变化，以及由于短路而引发击穿等事故。例如，N沟道场效应MOS晶体管小型化后其特性参数出现变化的主要原因是由漏极附近存在...
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