技术编号：6820099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，且尤其涉及一种形成电容器电极及半导体存储器件的导电材料图形的方法。DRAM(动态随机存取存储器)是一种可以任意输入和输出存储信息的半导体存储器件，。此DRAM的每个存储单元由一个转移晶体管和一个电容器构成。DRAM结构简单，并作为特别适合半导体存储器件的高集成度的器件而被广泛使用。在此存储单元的电容器的领域中，已生产出具有三维结构的电容器并被实际用于具有更高集成度的半导体器件中。采用具有三维结构的电容器的原因如下，当半导体器件的尺寸变得更精...
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