技术编号:6820203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种能够以大输出功率工作的,它最好应用于通信,激光医疗,激光束加工,激光打印机及类似的领域中。图6是具有分别密封异质结构的自对准结构半导体激光器(下文中,这种激光器被称之为SCH-SAS LD)的一个例子的结构示图。该激光器发表于IEEE JournalQuantum.Electronics,卷29,第6期(1993)1889-1993页上。参见图6,在n-GaAs衬底1上依次地形成n-Al GaAs覆层2,GaAs/Al GaAs量子阱有源层5...
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