技术编号：6820206
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种关于如何在一个二氧化硅(SiO2)膜层上进行等离子蚀刻的方法，尤其涉及如何在一具备掩膜的掺杂或未掺杂二氧化硅膜层的钻孔的方法，其中这个二氧化硅膜层的掩膜之上采用一种基于碳氟化合物(CnFm)的浸蚀气体，这种气体常常被用于半导体器件的生产。近些年来，随着半导体集成电路装置(ICs)的集成程度的进一步提高，设计规则也变得越来越低。另一方面，为使一个基于SiO2夹层介质层的表面平面化，人们通常使用化学机械磨光法(CMP)。因此，产生了一种使夹层介质...
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