技术编号:6820225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及器件的制造,特别涉及多组分非单质层的形成。在器件的制造中,在衬底或晶片上形成例如晶体管、电容器和电阻器等器件结构。然后互连这些器件结构,实现所需的电功能。器件结构的形成一般包括在衬底上形成和构图绝缘层、半导体层和导电材料层。在衬底上形成层的技术包括化学汽相淀积(CVD),例如,在Wolf等人在Lattice Press(1986)第Ⅰ卷的Sillicon Processing for the VLSI Era和Kern等人在IEEETrans...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。