技术编号:6820371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及保持包括高频微处理器的集成电路上的电源电压的稳定。特别涉及在集成电路的布线层中构成的,并连接到电源布线层的高可靠薄膜电容器的加入。加入的薄膜电容器用作去耦电容器,它们使电源电压电平的波动减至最小。现有的集成电路制造中,例如微处理器,其频率在100至400MHz范围内。通常,这些微处理器密布逻辑器件和存贮器,只有很小的面积用作其它的功能,如去耦电容器。现有的去耦电容器的结构为集成到硅体上的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构,如由Grzyb在美国专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。