技术编号:6820691
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造方法,更具体地说,涉及具有3.8或更小的相对介电常数的绝缘膜的半导体器件及其制造方法。背景技术 对于具有多个夹层绝缘膜的半导体器件(半导体芯片)的结构,其中密封半导体芯片的外围边缘中的夹层绝缘膜的侧面以改善稳定性,下面的专利文件1中所公开的是一个例子。日本专利公开号2000-277465为了进一步改善半导体器件的运行速度,近年来,一直在促进降低布线电阻,降低夹层绝缘膜的介电常数以降低布线的静电电容等。具体地说,铜(Cu)代替了铝...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。