技术编号:6820803
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理装置,特别涉及用于等离子体腐蚀半导体晶片的平行板等离子体处理装置。当通过平行板(平板电极)等离子体处理装置处理半导体晶片时,如果径向向外地设置在半导体晶片外周边的构件由如陶瓷、石英等的绝缘材料制成,那么等离子体具有位于绝缘构件的径向的内部区域的周边区域。因此,在半导体晶片的中心和周边区域分别产生不同状态的等离子体,导致在半导体晶片的周边区域的等离子体处理性能比半导体晶片的中心区域的等离子体处理性能差。鉴于以上的缺点,已尝试通过在半导体...
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