技术编号:6821231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电感加工,具体涉及一种射频MEMS电感的制备方法。背景技术 在RF电路中,具有高品质因数(Q)和低损耗的电感元件对电路性能的提高有重要的直接影响。采用CMOS双层多晶硅技术制备的电感的Q的提高受到了衬底损耗、电感寄生电阻损耗等的限制。2000年美国康奈尔大学提出了采用MEMS技术制备的高Q悬挂电感,以高阻硅作为衬底2、以多晶硅制成螺线结构3,同时采用无电镀铜技术降低电感的寄生电阻,达到了相当高的Q值。如图1所示。但是其制备工艺复杂,Q的提高幅度有...
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