技术编号:6821619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器及其制造方法,特别是涉及包含磁隧道结(MTJ)单元的磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。背景技术 MRAM是一种存储器件,其利用MTJ单元的电阻根据上和下磁膜的磁化方向而变化的现象读写数据,上和下磁膜在MTJ单元中由绝缘膜隔开。图1是传统MRAM中MTJ单元的横截面图。如图1所示,传统的MRAM M1包括下电极10上顺序形成的非晶缓冲膜12和钉扎膜14,该钉扎膜是半铁磁膜。在钉扎膜14上形成被钉扎膜16。被钉扎膜16包括第一铁磁膜...
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