技术编号:6822824
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的半导体装置涉及护圈形成区域上面的热氧化膜结构,特别是涉及降低可动离子影响的元件。背景技术 现有的半导体装置例如绝缘栅型双极晶体管中,在元件形成区域的外周区域,和IGBT元件的单位单元部(A区域)连接,形成护圈部(B区域)。不使元件的ON电阻增加,使护圈耐压提高的元件结构是公知的(例如,参照专利文献1)。另外,在现有的半导体集成电路装置例如大功率用集成电路中已知,在纵型IGBT外周侧形成P型护圈层。在护圈层上面,介由绝缘层配置二极管等横型元件。然后,...
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