技术编号:6822830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及一种电子器件,该器件包括如电阻元件、磁性元件、绝缘体元件和半导体元件等具有薄膜结构的元件,更具体地,本发明涉及一种在两个金属层之间有一中间氧化物层的。背景技术迄今为止,所谓的真空薄膜形成技术如溅射技术已广泛用于在金属层之间形成薄而均匀的氧化物膜。当用此技术在亚毫米级的超小电子元件内的某一限定位置上形成氧化膜时,需要专用掩模,这导致规模生产能力的下降,从而使成本增加。还有一种所谓厚膜形成技术,其中用丝网印制法、转移法、浸渍法等形成由包括分散在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。