技术编号:6823030
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及双极型半导体器件,特别是用槽电隔离或界定的双极型晶体管和半导体二极管。在制作双极型晶体管时,可以使用重掺杂内层,底扩散区或“掩埋层”。底扩散层的用途是降低NPN晶体管的集电极串联电阻,并用作相应横向PNP晶体管的基极连接。引入通常为N+型的重掺杂底扩散区,元件的性能可以得到显著的提高。这种在外延层生长在硅板上之前制备的底扩散区通过包含N+型深扩散区的区域连接到元件表面,其中元件制作在外延层上。在该区域中,掺杂首先在表面上进行,然后通过适当的热处理...
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