技术编号:6823047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体产品中具有基本平面表面的沟槽。为了隔离集成电路中各元件,已开发出了再填充的沟槽结构。形成这种沟槽有许多种不同方法。在Wolf,S.的“Silicon Processing fortheVLSI Era Volume II”(ISBN-0-961672-4-5,1990,Lattice PressUSA,第45-56页)中,记载了制造填充沟槽最普通的方法。主要步骤是在硅衬底中腐蚀沟槽,包围晶片上将被隔离的每个元件。然后,在沟槽中和硅衬底上淀积...
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