技术编号:6823113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明总体上涉及去除存在于硅晶片中的铜及其它金属杂质的工艺,更尤其涉及铜及其它金属扩散至这种硅晶片表面、从而可从该晶片中去除、同时避免形成铜及其它金属硅化物沉淀的工艺过程。硅器件的性能由于金属杂质的存在而降低。过渡金属,包括铜、铁和镍将会在与集成电路制造条件相关的正常热循环过程中溶解和扩散。当从这种高温冷却时,这些及其它金属可能会沉淀或聚集在晶片表面、以及晶片界面、缺陷点和晶片的深掺杂区域。这些沉淀物常常导致位错和其它缺陷的形成。这些沉淀物及其相关...
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