技术编号:6823120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件,尤其涉及在诸如半绝缘碳化硅的半绝缘衬底上制造的高压/高功率器件。对于其他的背景资料,包括与用在本发明器件中的基本半导体器件元件有关的资料,可以参考以下文献例如,第5448081;5378912;4983538号美国专利。这些在此一并作为参考。本发明的目的之一是提供在不需要必须通过外延生长的很厚的漂移区的情况下,能够阻断很高电压的器件。本发明的另一目的是提供诸如超高压(高于1000V至高于10000V)功率开关器件的横向功率器件结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。