技术编号:6823334
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓(GaN)外延层的制造方法,以及采用所述方法能够得到的氮化镓(GaN)外延层。这样一种方法能够得到质量极佳的氮化镓层。本发明还涉及安装这样一层氮化镓外延层的短波长光学设备或高功率、高频电子设备。本发明特别涉及用这样的氮化镓层制造的光电元件。人们了解用于获得较厚例如100-200微米GaN层的方法。常用方法是采用氯化物和氢化物的汽相外延(HVPE)法。该方法使用蓝宝石基体,或者采用有机金属化合物热解汽相外延方法(EPVOM)制造的厚度20...
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