技术编号:6823586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别是涉及一种在存储器件如DRAM、SRAM等的电容器部件中使用的半球形粒状(HSG)下电极结构,以及具有下电极结构的电容器及其制备方法。最近几年,半球形粒状(HSG)硅被用作DRAM中的电容器的下电极。使用HSG硅具有以下优点有利于通过较少的工时扩展电极表面积。然而,由于制备HSG硅时没有引入杂质,因此有必要在HSG硅制成之后引入杂质以使其能够作为电极使用。在早期发展过程中,人们曾尝试用离子注入方法引入杂质,但是不久就发现,所预...
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