技术编号:6823839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有浅隔离槽的半导体器件,特别涉及形成用于在LSI中的器件元件之间隔离的浅隔离槽的技术。在浅隔离槽(STI)技术中,用于形成诸如晶体管的器件元件的元件区域用浅隔离槽彼此隔离。在使用STI技术的动态随机存取存储器(DRAM)中,例如,浅槽的尺寸已经随着器件元件的减少和用于LSI的制造技术的改进而大大减小。附图说明图1和2表示在浅隔离槽的位置上在其制造步骤中半导体器件的例子。图1中,在硅衬底31上依次形成厚度大约为200埃的硅氧化膜(或基底氧化膜)3...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。