技术编号:6823916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造铁电集成电路的方法,该方法能够降低或消除由于暴露于氢造成的电特性退化。铁电化合物具有用于非挥发集成电路存储器的良好特性。见Miller的美国专利5046043。在如电容器等电铁器件具有如高剩余极化、良好的矫顽场、高抗疲劳性和低漏电流等所需要的电特性时,可用作非挥发存储器。已研究将如PZT(lead titanate zirconate,锆钛酸铅)和PLZT(lanthanum lead titanate zirconate,锆钛酸铅镧)等含铅...
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