技术编号：6824020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铁电存储器件及其制造方法。更具体地说，本发明涉及在半导体衬底上形成的包括存储单元晶体管和用来保持所存数据的铁电电容元件的铁电存储器件，以及其制造方法。近年来，铁电存储器件工艺得到积极的研究，它使用具有自发极化特性的铁电薄膜作为电容绝缘薄膜。铁电存储器件使用在半导体衬底上形成的铁电电容元件的极化状态来存储数据。附图说明图1至4表示铁电存储器件的一个存储单元的例子。图1是铁电存储单元的平面图。图2表示该铁电存储单元的剖面图，取自图1中a-a’线，而图...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。