技术编号:6824239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在绝缘基片上形成的电子电路,它有薄的硅半导体层,例如形成薄膜晶体管,此薄的半导体层要与导电的互连线连接。常规的薄膜器件,例如绝缘棚型场效应晶体管(FETS)用薄的硅半导体膜作为有源层。此有源层厚约1500。因此,若在这薄的半导体膜上要形成电极,通过使金属,例如铝与膜直接紧密地接触,就能获得良好的接触,现有的IC制造技术即用这种方法。在这些接触点中,通常通过在铝和半导体部分例如硅之间的化学反应形成硅化物,例如硅化铝。由于半导体层比硅化物层厚得...
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