技术编号：6824398
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件的形成工艺，特别涉及在半导体中形成互连结构的工艺及其形成方法。半导体器件持续按比例缩小到较小的尺寸。随着组成半导体器件不同层的互连尺寸的不断减小，它们之间的间距也不断减小。较小的线宽和间距引入了与互连的电阻和电容有关的新问题。较小的线宽尺寸增加了导线的电阻(R)。导线之间间距的减小增加了它们之间的电容(C)。相关的电阻-电容(RC)耦合引入了与传播延迟、串话干扰和器件电路的功率耗散有关的问题。铜互连技术和低介电常数(低k)材料为目前...
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