技术编号:6824449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法,特别涉及形成DRAM(动态随机存取存储器)的自对准接触的方法。DRAM(动态随机存取存储器)的高集成化导致存储器单元节距尺寸减小。因此,在吉比特(Gigabit)DRAM和更小的DRAM的制造工艺中保证未对准的裕度(margin)是极为重要的。由于光刻技术和腐蚀技术的限制,最重要和最困难的是在形成存储器单元的过程中确保存储器节点(node)接触与栅电极、位线和存储器节点的未对准裕度。参照附图说明图1A,在半导体衬底10上形成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。