技术编号：6824620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有利用铁电薄膜的电容器的。尤其是，本发明涉及层叠电容器型存储器件。随着近来数字技术的发展和移动设备性能的明显提高，市场上对集成度较高的低功耗高速运作的非易失性半导体存储器件的需求不断增长。铁电材料具有通过结构原子的位移来高速地存储外部电场所提供的信息且即使在外部电场切断时也继续存储该信息的特性。把铁电材料用作半导体器件中电容器的介电薄膜，可实现可靠性高的半导体器件。H6-132482和H9-116123号日本公开专利中揭示了一种高度集成的半导体...
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