技术编号:6824791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是分案申请,原申请的申请日为1994年2月15日,申请号为94103242.6,发明名称为“一种半导体器件及其制造方法”。本发明涉及一种用于薄膜器件,例如薄膜绝缘栅型场效应晶体管(薄膜晶体管或TFT)的晶态半导体薄膜器件。通常,采用使由等离子CVD方法或热CVD方法形成的非晶硅薄膜在如电炉设备中,在高于600℃温度下结晶化来制造用于像薄膜绝缘栅型场效应晶体管(TFT)薄膜器件的晶态半导体薄膜。然而,这种常规方法存在许多问题。最大的问题是极难获得好的产...
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