技术编号：6824947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性半导体存储器件，具体涉及一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。在图22A和22B中所示构成了EEPROM的存储单元中，具有控制栅1和浮置栅5的单器件型MOS存储器由栅氧化物膜3和绝缘氧化物膜4绝缘开，并紧贴着控制栅之下置于控制栅1和半导体衬底2之间。尽管单器件型MOS存储器的优点在于其单元尺寸可以很小，但如下所述近年来又研制出许多种具有用于将电子注入到浮置栅中或从其中吸出电子的改进方法的存储器件。根据第一种方法，如图22A所示，...
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