技术编号:6825012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路内具有含贵金属第一电极的电容器,其中用高ε介电材料或铁电材料作为电容器的介电材料,以及本发明也涉及该电容器的制造方法。在大多数集成半导体电路内需要电容器,例如在DRAM电路或A/D变换器内。在此提高集成度是一个首要目标,即必须实现具有最小占地面积,但尽可能高或为满足要求够用的电容量。尤其在DRAM电路提出了该问题,在DRAM电路每个存储器单元具有一个存储电容器和一个选择晶体管,其中可供存储器单元支配的面积一直在缩小。同时为了可靠的储存电荷...
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