技术编号:6825184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器件和形成存储器件的方法。由于光刻技术的限制,硅芯片上有源器件的尺寸缩小正接近极限。例如,诸如干涉和衍射的光波特性能够限制器件大小和密度。对如何克服光刻技术的极限已经进行了大量研究。研究已经集中在通过移相光刻解决所存问题和发展其它新的方法。结果是,借助这种研究,已经发展了在利用小体积中电子限制的器件设计。这种器件设计的三种基本类别是量子点(QD)、谐振隧道器件(RTD)和单电子晶体管(SET)。R.Turton在The QuantumDot,...
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