技术编号：6825232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及光刻机成像光学系统的像差的现场测量方法。背景技术在现有技术中，将形成于各种掩模上的图样，用曝光光线照明，中间经由成像光学系统将前述图样复制到涂布有光刻胶的晶片、玻璃基板等基板上的曝光装置是公知的。近年来，半导体元件越来越高集成化，要求其电路图样进一步微细化。随着光刻特征尺寸的变小，尤其是离轴照明与相移掩模的使用，像差对光刻质量的影响变得越来越突出。因此光刻机投影成像光学系统的现场测量技术不可或缺。成像光学系统像差的测量，通常以如下方式...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。