技术编号:6825249
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成T型多晶硅栅极的方法,特别涉及一种利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法。背景技术 当半导体的工艺技术朝深亚微米(deep submicron)前进的趋势下,将使得组件的集成度增加而组件尺寸亦随的减小,在这种情况下,晶体管须具备有较通常的晶体管低的密勒电容(miller capacitance)值与较高的驱动电流,以获得良好的组件驱动性。因此通常技术,为达到具有较高的驱动电流,与降低密勒电容,以能量约1015来进行源/漏极延伸区的掺杂工...
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