技术编号：6825251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属硅化物工艺前的清洗方法，特别涉及一种。背景技术 当半导体组件的生产进入到深亚微米工艺，集成电路的集成度愈来愈高，组件的尺寸愈来愈小，使得栅极与源/漏极区域的面积也等同缩小，而为了降低组件串接电阻值、减少金属接触窗数目及增加以后连接导线布局(Layout)的方便性，进而缩小整个组件面积，自动对准金属硅化物技术的使用已逐渐广泛应用在半导体工艺中。在深亚微米的半导体工艺中，通用技术在形成自行对准金属硅化物的工艺步骤前首先在一形成有浅沟槽隔离区域...
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