技术编号:6825356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。本发明尤其涉及一种,在这种方法中,通过提起技术,形成精细的布线图案,用于诸如半导体装置、高频集成电路等各种电子元件中。附图说明图1A到1E中示出根据通常所使用的提起技术的。在基片1上形成布线图案4的传统的方法中(图1A),在将负性光致抗蚀剂2a施加到基片1上后(如图1B),光致抗蚀剂2a通过光掩模(图中未示)暴露于UV射线(I-射线)。负性的光致抗蚀剂2a的曝光的区域变得不溶解。相应地,当光致抗蚀剂显像时,未曝光的区域从基片1分离,只有曝光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。