技术编号:6825481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及,尤其是涉及能形成用于元件隔离的可靠的浅槽隔离(STI)并且能抑制MOS晶体管的阈电压变化的半导体器件制造方法。通常,为了把每个电路元件与半导体器件中的其它元件隔离,使用LOCOS(硅的局部氧化)方法。在LOCOS(硅的局部氧化)方法中,通过氧化部分硅衬底,能够形成致密且高纯度的氧化硅膜。因此,当半导体器件的设计原则不严格时,LOCOS方法可提供充分的隔离能力。然而,在LOCOS方法中,用于元件隔离的每个氧化膜在横向出现延伸,例如鸟嘴(bir...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。