技术编号：6826476
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中离子注入所用的离子注入机，进一步是指离子注入机的晶片自转动装置。背景技术 现有技术中，强流氧离子注入机的工作过程是(参见图1)，来自气体管道的气体被送入离子源11中，送入离子源11的气体在离子源11的放电室中电离变成为等离子状态。离子由于电位差而被引出送至磁分析器21，该磁分析器21使离子束受磁场力作用而发生偏转，因各种离子的质量差而发生轨迹分离，所希望的离子被送至加速器31。在加速器31中离子被加速，使其达到预定的能量，经过四极...
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