技术编号：6827053
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。具体而言，本发明涉及对于Al和Cu布线以及其他金属布线的防腐蚀性优良的，同时光刻胶膜和灰化残渣物的剥离性优良的。本发明优选适用于制造IC或LSI等半导体元件或液晶板元件。背景技术 IC或LSI等半导体元件或液晶板元件的制造方法是，在硅片等基板上用CVD蒸镀法等形成导电性金属膜或SiO2膜等绝缘膜，再在该膜上均匀涂布光刻胶，将其进行选择性的曝光、显象处理，形成光刻胶图案，以该图案为掩模，选择性地蚀刻上述CVD蒸镀的导电性金属膜或绝缘膜，形成微细回...
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