技术编号：6828141
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅的蚀刻加工，特别涉及用于MEM S部件或半导体设备的制造的硅蚀刻液以及硅蚀刻方法。背景技术通常在用化学试液蚀刻硅单晶基板时进行以下方法用加入了氢氟酸和硝酸等成分的混合水溶液、即酸系蚀刻液进行蚀刻的方法；或者用氢氧化钾(KOH)、氢氧化四甲铵 (以下，有时简称为TMAH。)等的水溶液、即碱系蚀刻液进行蚀刻的方法(参照非专利文献 1、2)。使用酸系蚀刻液时，硅表面被硝酸等具有氧化作用的成分氧化而生成氧化硅，该氧化硅与氢氟酸等反应生成氟化硅而被溶解，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。