技术编号:6828319
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体涉及半导体大芯片结构,更具体地说,涉及一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片,这种芯片有两个或以上的数量的N电极引线部位和P电极引线部位,并且电极设置成可提供更高的发光效率。背景技术 随着以氮化镓及其化合物为代表的“第三代”半导体技术的发展,以氮化镓及其化合物为基的蓝绿光以及白光LED在光电显示等领域中的应用越来越广泛,LED在白光照明、交通灯显示、三基色全彩色显示、IC等各种领域中的应用越来越多。随着技术的发展,已经有蓝绿光LE...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。