技术编号:6828346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及构造在n-型GaAs基片上的半导体发光二极管,用于发射可见光,尤其是具有由ALGaInP基材料构成的双异质结结构的高强度半导体可见发光二极管。随着信息处理技术的发展,半导体光发射设备有逐渐地增大的要求以用于光学通信、光学记录媒介以及图像显示的光源。特别是,尤其需要更高的强度的可见发光二极管(以下,发光二极管将被缩写为LED)用于发展作为图像显示的有效的光源。与GaAs(砷化稼)基片相配的AlGaInP(铝镓磷化铟)的混合晶体半导体晶格,由于它能够...
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