技术编号:6828348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用把从传导区迁移过来的电荷存储在存储区内的办法保持信息的存储器及其制造方法,以及使存储器集成化后的集成电路和半导体装置的制造方法,特别是涉及存储区由多个微粒子(量子点)构成的存储器及其制造方法,以及集成电路和半导体装置的制造方法。背景技术在以EEPROM(Electric Ersable-Programable Read OnlyMemory,电可擦除可编程只读存储器)为代表的非易失性存储器中,通过绝缘膜在单晶硅基板上形成有存储区,结果变成为通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。