技术编号:6828485
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过提高硅太阳能电池装置的开路端电压,实现高变换效率的硅。附图说明图10是表示现有技术的太阳能电池装置102的结构的剖视图。太阳能电池装置102,是在作为透明玻璃基片的绝缘性基片10的表面上形成透明氧化物电极12,同时在该透明氧化物电极12的表面上依次叠合p型半导体层18,缓冲层20,本征半导体层22,n型半导体层24,金属电极26而形成多层结构。绝缘性基片10,把从未形成透明氧化物电极12的一侧表面(图面的下侧)入射的光传达到透明氧化物电极12...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。