技术编号:6828525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体加工领域,更具体地,涉及用于加工半导体衬底时最小限度地接触衬底背面的晶片载体以及半导体装置。半导体与集成电路生产中,制造电路时需淀积各种材料膜层。广泛地将介质膜淀积在半导体晶片表面,电隔离导电层并产生层之间所需的连接。电介质与其他薄层通常由化学汽相淀积法(CVD)形成。CVD法通过在衬底表面传送并使某些气态先质发生反应将材料淀积到表面。CVD反应有许多形式。低压CVD系统(LPCVD)与常压CVD系统(APCVD)是以热CVD原理运行。...
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