技术编号：6828528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 已使用各种半导体技术来建立高频功率器件。在很长时间内，其实现的较佳媒介是NPN双极型结型晶体管(BJT)。它的主要优点是可实现高的本征跨导(gm)，使得可利用小的硅面积来制造高功率器件。随着处理技术的提高，在二十世纪七十年代早期，大量的MOSFET纵向结构开始挑战RF频率较低的BJT的统治，它们以在MOSFET中提供电流容量所需的较大硅面积为代价来获得简单的处理。其优点在于，提供给用户的MOSFET结构功率增益及坚固耐用性(定义为耐瞬变能力)较高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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