技术编号：6828540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机物覆膜去除方法，确切地说，本发明涉及在半导体器件等光刻过程所用的有机高分子化合物的光刻胶膜的去除方法以及该方法所用的装置。背景技术 光刻材料一般在半导体器件如集成电路、晶体管、液晶器件、二极管等的制造过程中被用到用于形成细微图案的光刻工序和／或用于形成电极图形的后续蚀刻步骤中。例如，在按照所需图形在半导体衬底上如硅衬底(它尤其是被称为硅晶片)上形成氧化硅层的场合中，首先在衬底表面上形成氧化硅层并在清净化之后将适于形成期望图形的光刻材料涂覆到氧...
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